Новости

01Мар

TEQ 20/40WIR – высококачественные DC/DC от TRACO для железнодорожного транспорта

Компания TRACO расширила семейство монтируемых на шасси DC/DC-преобразователей для железнодорожного транспорта и промышленного применения TEQ/WIR сериями TEQ 20WIR и TEQ 40WIR.Расширение произошло в сторону уменьшения мощности. В настоящий момент кроме преобразователей мощностью 100/160/200/300 Вт стали доступны изделия мощностью 40 и 20 Вт. Преобразователи имеют широкий вход 4:1 (9…36; 18…75; 43…160 В), работают в расширенном температурном диапазоне...

, ,
Читать...
20Окт

Новые транзисторы SiC MOSFET с трехкратным снижением потерь на переключение

телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемответственные примененияWolfspeed (A Cree Company)статьядискретные полупроводникиMOSFETAC-DCзарядное устройство для электромобиляисточник питания для телекомапреобразователь собственных нужд для метро/локомотиваЭдгар Айербе, Адам Баркли, Джон Муккен (Wolfspeed)Значение скорости переключения MOSFET в традиционных корпусах ограничено многими факторами. Компания Wolfspeed предлагает для своих MOSFET на базе карбида кремния два новых вида корпусов. Применение компонентов в этих корпусах позволяет уменьшить потери и упростить...

Читать...
20Окт

Нейронные сети на базе STM32G4. Теория и практика

системы безопасностипотребительская электроникалабораторные приборыинтернет вещейуниверсальное применениеST Microelectronicsстатьяинтегральные микросхемыCortex-M4МикроконтроллерSTM32CubeMXSTM32G4Нейронные сетиKerasAISTM32Cube.AIАлексей Гребенников (г. Москва)Наличие программного пакета X-CUBE-AI, расширяющего функционал STM32CubeMX, поможет разработчику построить искусственную нейросеть на базе микроконтроллера из линейки STM32G4 производства STMicroelectronics. Статья включает пошаговое описание реализации такой нейросети.Идея построения искусственных нейронных сетей появилась в 50-х годах прошлого века. До недавних пор практическое применение таких сетей было крайне ограничено...

Читать...
20Окт

Модули CoolSiC MOSFET 1200 В в корпусе 62 мм

управление питаниемInfineonновостьдискретные полупроводникиMOSFETSiC MOSFETcoolsicСиловая электроникаКомпания Infineon представила новые MOSFET-модули на основе карбида кремния напряжением 1200 В семейства CoolSiC. Транзисторы CoolSiC – отличное решение для систем средней и высокой мощности, которое упрощает конструкцию приложения, уменьшая его размеры и стоимость. Благодаря использованию технологии Trench и внушительной толщине оксидного слоя затвора, транзисторы CoolSiC обеспечивают...

Читать...